Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов

М.: Металлургия, 1981. - 92 с.Рассмотрены схемы расчетов условий выращивания легированных одной примесью монокристаллов полупроводников. Расчеты выполнены для методов выращивания, в которых используется как подпитка расплава примесью и (или) исходным материалом, так и программирование скоростных параметров процесса. Приведены расчеты условий выращивания монокристаллов, легированных двумя примесями разного типа проводимости. Эти расчеты позволяют получать монокристаллы с постоянной степенью компенсации, постоянной разностной или суммарной концентрацией носителей заряда, все расчеты иллюстрированы примерами. Для инженерно-технических работников, научных сотрудников, аспирантов и студентов.ПредисловиеПараметры кристаллизационного процессаРасчеты количества легирующих веществМетоды получения равномерно легированных по длине монокристаллов полупроводниковРасчеты условий выращивания монокристаллов, равномерно легированных одной примесьюПрограммирование параметров роста монокристалловПодпитка кристаллизуемого расплаваРасчеты условий выращивания методом Чохральского монокристаллов, легированных двумя нелетучими примесямиРасчет программ выращивания из простого тигля монокристаллов с постоянной степенью компенсации примесей по длинеРасчет программ выращивания из простого тигля монокристаллов с постоянной разностной или суммарной концентрацией примесей по длинеРасчет условий выращивания из двойного тигля монокристаллов с постоянной разностной концентрацией примесей по длинеБиблиографический список