Компьютерное моделирование наноструктур

Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов: Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2013. — 100 с. — ISBN 5-292-02653-0Приведены задачи из области физики твердого тела, физики полупроводников, физики квантоворазмерных структур. Для каждой задачи студентам предлагается краткое теоретическое описание физической проблемы и её математической модели, базирующееся на имеющихся у студентах знаниях в соответствующих областях, формулируется задача для моделирования, включающая реализацию математической модели в математическом пакете. Приведены примеры программ в системе MathCAD.Для студентов университета, обучающихся по направлению 210600– «Электроника и наноэлектроника», специальностям 010410 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 200100 – «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также научных сотрудников, аспирантов, инженеров, интересующихся проблемами использования современных программных средств для проведения компьютерного моделирования наноструктур.СодержаниеВведениеКраткие сведения о квантоворазмерных гетероструктурахГетероструктуры и их классификацияКвантоворазмерные гетероструктуры на основе твердого раствора AlxGa1-xAsКомпьютерное моделирование физических процессов в кристаллах и квантоворазмерных структурахМоделирование энергетического спектра электрона В твердом теле (модель Кронига-Пенни)Моделирование энергетического спектра электрона в одномерной квантовой яме: с бесконечно высокими стенкамисо стенками конечной высотыМоделирование движения электрона вблизи потенциальной ступенькиМоделирование движения электрона в слоистых квантоворазмерных структурахМоделирование движения электрона через потенциальный барьер конечной толщиныМетод матриц переноса и его применение для моделирования движения электрона в сложном потенциальном рельефеМоделирование движения электрона через двухбарьерную квантоворазмерную структуру (ДБКС)Компьютерное моделирование микро 4 и наноструктурМоделирование движения электрона через трехбарьерную квантоворазмерную структуруМоделирование движения электрона при приложении постоянного электрического поля в направлении, перпендикулярном плоскостям слоёвЗаключениеСписок литературыПриложенияПрограмма для моделирования энергетического спектра электрона в твердом телеПрограмма для моделирования энергетического спектра электрона энергетического спектра электрона в одномерной квантовой яме с бесконечно высокими стенкамиПрограмма для моделирования энергетического спектра электрона энергетического спектра электрона в одномерной квантовой яме со стенками конечной высотыПрограмма для моделирования движения электрона вблизи потенциальной ступенькиПрограмма для моделирования движения электрона через потенциальный барьер конечной толщиныПрограмма, реализующая метод матриц переноса при моделировании энергетического спектра электрона в слоистых квантоворазмерных структурахПрограмма для моделирования движения электрона через двухбарьерную квантоворазмерную структуруПрограмма для моделирования движения электрона через трехбарьерную квантоворазмерную структуруПрограмма для моделирования движения электрона при приложении постоянного электрического поля в направлении, перпендикулярном плоскостям слоёвСвойства твердого раствора AlxGa1-xAsРабота в математическом пакете MathCad. Описание используемых в примерах функцийРабота в математическом пакете MathCad. Комбинации клавиш