Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером

Учебно-методическое пособие — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. — 84 с.В пособии рассмотрены свойства полупроводниковых биполярных транзисторов. Показаны основные схемы включения транзисторов, описаны основные характеристики. Также рассмотрены приборы на основе биполярных транзисторов – усилители низкой частоты. Описаны физические принципы работы усилителей, детально рассмотрена схема усилителя с общим эмиттером. Даны рекомендации по выбору рабочей точки и расчёту параметров схемы усилителя с общим эмиттером. Даны методические рекомендации по выполнению экспериментальных заданий пособия с использованием платы NI ELVIS II.Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники».ВведениеТеоретические основы работы биполярного транзистора Полупроводниковый p-n переходБиполярный транзистор Общие сведения Статические характеристики биполярного транзистора Моделирование статические характеристики биполярного транзистора Транзистор как линейный четырёхполюсникЭкспериментальная часть Исследование статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общимэмиттером Исследование выходных характеристик транзистора Определение параметров транзистораКонтрольные вопросыРасчёт и исследование усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включённом по схеме с общим эмиттером Схемы усилителя Схема с общей базой Схемы с общим эмиттером и общим коллекторомСхема усилителя низкой частоты с общим эмиттеромЧастотные характеристики транзистораЭкспериментальная часть Расчёт усилителя с общим эмиттером Моделирование схемы усилителя низкой частотыМонтаж схемы усилителя Применение генератора импульсов и осциллографа Исследование частотной зависимости коэффициента усиленияКонтрольные вопросыСписок цитированной литературы