Плазменные технологии в наноэлектронике

М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. — ISBN 978-5-7256-0656-0Рассмотрены применение плазменных процессов в производстве изделий микро- и наноэлектроники, технологические проблемы их использования при изготовлении ИС, тенденции развития плазменной технологии. Представлены современные системы высокоплотной плазмы. Приведены основные понятия процесса плазменного травления и его технологические параметры. Описаны процессы плазменного травления различных функциональных слоев и их особенности. Проведена классификация активируемых плазмой методов получения тонких пленок. Дано описание технологии ионно-плазменного легирования на примерах ионно-плазменной имплантации бора, мышьяка и фосфораПроведено сравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантацийРазработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», соответствующей тематическому направлению деятельности ННС «Наноэлектроника». Предназначено для студентов, обучающихся по дисциплине «Плазменные технологии в наноэлектронике»ВведениеПлазменные процессы в наноэлектроникеПрименение плазменных процессов в производстве современных ИСТехнологические проблемы использования плазменных процессов в производстве ИСТенденции развития плазменной технологииСовременные плазменные системы, используемые в производстве СБИССВЧ-источники плазмы на основе электронно-циклотронного резонансаГеликонный источник ВЧ-плазмыИсточники с индуктивным возбуждением плазмыКластерное оборудованиеПлазменное травление в производстве изделий наноэлектроникиОсновные понятия процесса плазменного травленияТехнологические параметры плазменного травленияПлазменное травление различных функциональных слоев и их особенностиПлазменное травление антиотражающих покрытий при формировании фоторезистивной маскиПлазменное травление диэлектриковПлазменное травление проводника затвораФормирование мелкощелевой изоляцииПлазменное травление проводников межсоединенийАктивируемые плазмой методы получения тонких пленокХарактеристики структуры до и после операции осаждения функционального слояТехнологические характеристики процессов осаждения функциональных слоев ИМСКлассификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИМССтимулированное плазмой осаждение пленок различных диэлектрических материалов, тугоплавкихметаллов и их силицидов, используемых при формировании наноструктурСтимулированное плазмой осаждение пленок диоксида кремния и нелегированных силикатных стеколСтимулированное плазмой осаждение пленок нитрида кремния и оксинитрида кремнияСтимулированное плазмой осаждение пленок диэлектриков с низкой диэлектрической постояннойСтимулированное плазмой осаждение пленок титана, его силицидов и нитридовСтимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок вольфрама и молибденаПроцессы ПА ХОГФ с дискретной подачей реагентовПлазмоактивируемые процессы атомно слоевого осаждения пленок диэлектриков с высокой диэлектрической постояннойПлазмоактивируемые процессы атомно-слоевого осаждения пленок тантала и егонитридовСовременные системы ФОГФ и их особенностиТехнология ионно-плазменного легированияИонно-плазменная имплантация бораИонно-плазменная имплантация мышьяка и фосфораСравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантацииЛитература