Твердотельная электроника. Расчеты полупроводниковых гетеропереходов

Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с.Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом (неоднородный полупроводник — гомоструктура, варизонный полупроводник — гетероструктура). На примере контакта двух однородных полупроводников рассмотрено формирование энергетической диаграммы анизотипного идеального гетероперехода. Дана теория вольт-фарадной и вольт-амперной характеристик перехода. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению бакалавров Техническая физика, также может быть использовано при обучении бакалавров по направлениям Электроника и микроэлектроника, Электроника и наноэлектроника и "Инфокоммуникационные технологии и системы связи.Оглавление:Классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составомНеоднородные полупроводники и гомоструктурыВаризонные полупроводники и гетероструктурыМодели гетеропереходовИдеальный гетеропереходНеидеальный гетеропереходГетеропереход с промежуточным слоемИдеальный гетеропереход - модель АндерсонаПотенциал в области переходаВольт-фарадная и вольт-амперная характеристикиНеидеальный гетеропереходВлияние заряда границы раздела материаловДиполь на границе раздела материаловВлияние диполей, локализованных на границах раздела материаловПример выполнения расчетного заданияГетеропереход кремний — теллурид кадмияГетеропереход кремний — арсенид галлияВиды энергетических профилей гетеропереходовВлияние заряда границы раздела на энергетическую диаграмму гетеропереходаЭлектроотрицательность химических элементов, эВ, входящих в состав полупроводниковых материаловВлияние диполя на энергетическую диаграмму гетеропереходаПараметры материалов гетеропар при Т— 300 К, предлагаемые для расчета гетеропереходов