Физические основы наноэлектроники

Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с. : ил. — Электронное издание. — ISBN 5-292-01986-0Учебное пособие посвящено изложению физических основ наноэлектроники. Описаны явления переноса носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Рассмотрены квантовые эффекты в структурах с пониженной размерностью, описаны новые типы микро- и наноэлектронных и оптоэлектронных приборов. Изложены физические принципы работы приборов наноэлектроники.Для студентов университета, обучающихся по направлению: 210600 — «Электроника и наноэлектроника», специальностям: 010410 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 200100 — «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также научных сотрудников, аспирантов, инженеров, занимающихся исследованиями в области микро- и наноэлектроники. физики полупроводников, квантовой и оптоэлектроники.СодержаниеВведение Физика квантово-размерных структурОсобенности энергетического спектра электронов в системах пониженной размерностиРазмерное квантование при надбарьерноы пролетеКвантовые состояния в системах пониженной размерностиРаспределение плотности состояний в двумерных системах (квантовых ямах) Оптические свойства квантово-размерных структурСпектры фундаментального поглощения квантоворазмерных структур Экситонный механизм погтощения оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах Элементы и приборы наноэлектроникиПеренос носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированиемПолевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием Гетеропереходы Селективное легирование. Двумерный электронный газПринцип работы полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированиемТранзисторы с инжекцией горячих электронов Транзисторы на горячих электронах с переносом заряда в пространстве Туннельный перенос носителей заряда в квантово-размерных структурах Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру Резонансное туннелирование через двухбарьерную квантовую структуру Инерционность резонансного туннелирования и быстродействие приборов на основе ДБКС Микроэлектронные приборы на основе ДБКС Применение квантово-размерных структур в оптоэлектроникеБистабильные оптические элементы оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах для создания бистабильных оптических устройств Полупроводниковые лазеры на квантово-размерных структурах Фотоприемники ИК-диапазона на основе квантоворазмерных структур Список литературы Физические константы Параметры Ge, Si и GaAs при температуре 300 К Свойства соединения АlxGa1-xAs Свойства арсенида индия InAs Свойства соединения InxGa1-xAsСвойства фосфида индия InP Свойства антимонида индия InSb Свойства аморфного кремния Греческий алфавит Приставки кратных и дробных единиц Зонная структура GaAs Зонная структура Ge Зонная структура Si Основные обозначения