Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников

М.: Металлургия, 1984. — 256 с.: ил.В книге впервые с единых позиций на основе современных теоретических представлений рассмотрены вопросы дефектообразования в монокристаллах полупроводников. Особое внимание уделено закономерностям формирования дислокационной структуры и генерации собственных точечных дефектов в монокристаллах непосредственно при их выращивании, роли взаимодействия дефектов в формировании реальной структуры кристалла, влиянию различных дефектов на свойства полупроводников. Основное рассмотрение проведено для кристаллов с решеткой алмаза и сфалерита, в первую очередь кремния, германия и соединений АIIIBV хотя установленные закономерности в большинстве случаев носят общий характер.Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии и материаловедения полупроводников, а также приборов и интегральных схем на их основе.Предисловие.Дислокации в монокристаллах полупроводниковДислокации и методы их выявленияТипы дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.Оптические и дифракционные методы наблюдения дислокаций.Динамика дислокаций и пластическая деформацияПодвижность дислокаций в кристаллах с решеткой алмаза и сфалерита.Зарождение и размножение дислокаций под действием напряжений.Закономерности макроскопической пластической деформации.Влияние легирующих примесей на динамическое поведение дислокаций и пластичность полупроводников.Расщепленные дислокации.Возникновение макронапряжений при росте кристаллов полупроводниковТермоупругие напряжения в кристаллах, выращиваемых из расплава.Остаточные напряжения в кристаллax.Дислокационная структура реальных кристалловФормирование дислокационной структуры в растущем кристалле.Влияние легирования на дислокационную структуру полупроводников.Влияние дислокаций на физические свойства полупроводников. Собственные точечные дефекты структурыМетоды исследования собственных точечных дефектов структурыКосвенные методы.Прямые методы.Расчетные методы.Особенности дефектообразования в кремнии и германииОбщие свойства дефектов.Вакансии.Междоузельные атомы.Влияние легирующих примесей на дефектообразование.Влияние условий выращивания на дефектообразование.Особенности дефектообразования в полупроводниковых соединениях АIIIBVТипы точечных дефектов.Область гомогенности.Влияние условий выращивания и термообработки на дефектообразование.Особенности дефектообразования в легированных соединениях.Некоторые кинетические особенности процессов взаимодействия с участием собственных точечных дефектов.Другие полупроводниковые соединенияСоединения типа АIIBVI.Соединения типа AIVBVI.Микродефекты в монокристаллах полупроводниковМикродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния.Структурные превращения в кремнии при термообработке.Геттерирование точечных дефектов.Микродефекты в сильно легированных кристаллах полупроводниковых соединений.Двойникование в полупроводниках (дополнение)Библиографический список