Main
Наноэлектронные устройства и их модели
Наноэлектронные устройства и их модели
Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И.
5.0
/
5.0
0 comments
Учебное пособие. - Москва, МИЭТ, 2010. - 98 с.Основные параметры МДП транзистораСтруктуры наноразмерных МДПТ Масштабирование МДП-транзисторов Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС Основные параметры идеализированного транзистора Ограничение скорости носителей в канале Модуляция длины канала Коэффициент усиленияПодвижность носителей в канале Подпороговый ток Эффекты малых размеров Модель МДПТ в SPICE Учет технологических факторов разброса Моделирование в TCAD как часть «проектирования для производства» Использование метода Монте – Карло Литература
Comments of this book
There are no comments yet.