Main Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Name: Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Rating: 4.0 (4 reviews)
ISBN: 5-8360-0068-9

Осипьян Ю.А., Бредихин С.И., Кведер В.В., Классен Н.В., Негрий В.Д., Петренко В.Ф., Смирнова И.С., Шевченко С.А., Штейнман Э.А., Шмурак С.З.

4.0 / 5.0

0 comments

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Request Code : ZLIBIO1273916

Categories:

Year:

2000

Publisher:

Эдиториал УРСС

Language:

Russian

Pages:

311

ISBN 13:

5-8360-0068-9