Main
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 2
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 2
Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г.;Под общей ред. чл.-корр. РАН проф. Чаплыгина Ю.А.
5.0
/
5.0
0 comments
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микро-электроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.;Гриф:Рекомендов ано Учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210104 (200100) «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Categories:
Year:
2015
Edition:
3
Publisher:
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Language:
Russian
Pages:
425
ISBN 13:
9785996325689
ISBN:
9785996325689
Series:
Электроника
Your tags:
Инженерно-технические науки;Электроника и радиотехника
Comments of this book
There are no comments yet.