Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники

В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (p–n-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании оптоэлектронных приборов. Описаны принципы действия, основные характеристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светодиодов и инжекционных лазеров. Для лучшего усвоения материала к каждому разделу даны контрольные вопросы. Кроме того, пособие включает ряд описаний практических и лабораторных работ, дающих навыки оценки параметров полупроводниковых материалов и структур и измерения характеристик оптоэлектронных приборов. В качестве приложений приведены таблицы основных параметров полупроводниковых материалов, твердых растворов на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и научных сотрудников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.